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KRI 霍尔离子源 Gridless eH 系列
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KRI 霍尔离子源 Gridless eH 系列

美国 KRI 霍尔离子源 Gridless eH 系列
美国 KRI 霍尔离子源 eH 系列紧凑设计, 高电流低能量宽束型离子源, 提供原子等级的细微加工能力, 霍尔离子源 eH 可以有效地以纳米精度来处理薄膜及表面, 多种型号满足科研及工业, 半导体应用. 霍尔离子源高电流提高镀膜沉积速率, 低能量减少离子轰击损伤表面, 宽束设计有效提高吞吐量和覆盖沉积区. 整体易操作, 易维护. 霍尔离子源 eH 提供一套完整的方案包含离子源, 电子中和器, 电源供应器, 流量控制器 MFC 等等可以直接整?#26174;?#21508;类真空设备中, 例如镀膜机, load lock, 溅射系统, 卷绕镀膜机等.
霍尔离子源

美国 KRI 霍尔离子源 eH 特性
无栅极
高电流低能量
发散光束 >45
可快速更换阳极模块
可选 Cathode / Neutralize 中和器

美国 KRI 霍尔离子源 eH 主要应用
辅助镀膜 IBAD
溅镀&蒸镀 PC
表面改性、激活 SM
沉积 (DD)
离子蚀刻 LIBE
光学镀膜
Biased target ion beam sputter deposition (BTIBSD)
Ion Beam Modification of Material Properties (IBM)

例如
1. 离子辅助镀膜及电子枪蒸镀
2. 线上式磁控溅射及蒸镀设备预清洗
3. 表面处理
4. 表面硬化层镀膜
5. 磁控溅射辅助镀膜
7. 偏压离子束磁控溅射镀膜

美国 KRI 霍尔离子源 Gridless eH

霍尔离子源 eH 系列在售型号:

型号

eH200(停产)

eH400
eH400LE

eH1000
eH1000LE
eH1000LO

eH1000xO2 

eH2000
eH2000LE
eH2000HO 

eH3000
eH3000LO
eH3000MO

Ar, O2, N2, H2, organic precursors, others

Cathode/Neutralizer 

F or HC

F or HC

F or HC

F or HC

F or HC
HC
HC

HC

电压

30-300V

50-300V
30-150V

50-300V
30-150V
50-300V

100-300V

50-300V
30-150V
50-250V

50-250V
50-300V
50-250V

电流

2A

5A
10A

10A
12A
5A

10A

10A
15A
15A

20A
10A
15A

散射角度

>45

>45

>45

>45

>45

>45

气体流量

1-15sccm

2-25sccm

2-50sccm

2-50sccm

2-75sccm

5-100sccm

高度

2.0“

3.0“

4.0“

4.0“

4.0“

6.0“

?#26412;?/p>

2.5“

3.7“

5.7“

5.7“

5.7“

9.7“

水冷

可选

可选

可选

可选

F = Filament; HC = Hollow Cathode; xO2 = Optimized for O2 current

 

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